台积电取得CN112018178B专利，实现在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙lg...

摘要：金融界2024年5月9日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法“，授权公告号CN112018178B，申请日期为2019年11月。专利摘要显示，多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙，使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极/漏极部件邻接气隙。第一栅极结构的部分也可以设置在多个硅层的第一层和第二层之间。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法。