三星取得用于制造半导体器件的方法专利，该专利技术能实现在衬底上形成模制结构lg...

摘要：金融界2024年4月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于制造半导体器件的方法“，授权公告号CN108807385B，申请日期为2018年4月。专利摘要显示，一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成模制结构，使得模制结构包括交替且重复地层叠的层间绝缘膜和牺牲膜；形成穿过模制结构的沟道孔；在沟道孔内形成垂直沟道结构；通过去除牺牲膜来暴露出层间绝缘膜的表面；沿层间绝缘膜的表面形成氧化铝膜；在氧化铝膜上形成连续膜；以及对连续膜进行氮化以形成TiN膜。