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华为公司申请芯片堆叠结构及其制作方法、芯片封装结构、电子设备专利,可以降低芯片堆叠结构中硅通孔的制作难度

2024-03-22 12:45:58
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摘要:金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“芯片堆叠结构及其制作方法、芯片封装结构、电子设备“,公开号CN117751436A,申请日期为2021年8月。专利摘要显示,本申请的实施例提供一种芯片堆叠结构及其制作方法、芯片封装结构、电子设备,涉及芯片技术领域,可以降低芯片堆叠结构中硅通孔的制作难度。该芯片堆叠结构包括第一芯片和第二芯片,第一芯片包括第一衬底、第一功能层以及第一硅通孔;第一硅通孔靠近第一功能层位置处的直径大于靠近第一衬底位置处的直径;第二芯片包括第二衬底和第二功能层;芯片堆叠结构还包括设置在第二功能层远离第二衬底一侧的第一重新布线层、设置在第一衬底和第一重新布线层之间的第一电介质层和设置在第一电介质层内的多个第一键合金属块;至少部分第一键合金属块分别与第一硅通孔和第一重新布线层电连接;第一芯片和第二芯片通过第一电介质层和第一键合金属块键合在一起。

金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“芯片堆叠结构及其制作方法、芯片封装结构、电子设备“,公开号CN117751436A,申请日期为2021年8月。

专利摘要显示,本申请的实施例提供一种芯片堆叠结构及其制作方法、芯片封装结构、电子设备,涉及芯片技术领域,可以降低芯片堆叠结构中硅通孔的制作难度。该芯片堆叠结构包括第一芯片和第二芯片,第一芯片包括第一衬底、第一功能层以及第一硅通孔;第一硅通孔靠近第一功能层位置处的直径大于靠近第一衬底位置处的直径;第二芯片包括第二衬底和第二功能层;芯片堆叠结构还包括设置在第二功能层远离第二衬底一侧的第一重新布线层、设置在第一衬底和第一重新布线层之间的第一电介质层和设置在第一电介质层内的多个第一键合金属块;至少部分第一键合金属块分别与第一硅通孔和第一重新布线层电连接;第一芯片和第二芯片通过第一电介质层和第一键合金属块键合在一起。

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