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乾照光电取得LED芯片专利,有效提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率

2024-03-21 16:39:38
金融界
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摘要:金融界2024年3月21日消息,据国家知识产权局公告,厦门乾照光电股份有限公司取得一项名为“一种LED芯片“,授权公告号CN220627837U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本实用新型提供了一种LED芯片,通过:在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层;其中,所述介质层具有若干个通孔,且在所述通孔内设有第一欧姆接触层;所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触。从而,在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜,使光线被反射后从LED芯片的上表面取出,有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率;同时,通过所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和通孔的配合接触,在保证金属反射层与外延叠层的半导体材料接触的同时,可横向阻挡所述金属反射层和电极的金属扩散。

金融界2024年3月21日消息,据国家知识产权局公告,厦门乾照光电股份有限公司取得一项名为“一种LED芯片“,授权公告号CN220627837U,申请日期为2023年7月。

专利摘要显示,本实用新型提供了一种LED芯片,通过:在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层;其中,所述介质层具有若干个通孔,且在所述通孔内设有第一欧姆接触层;所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触。从而,在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜,使光线被反射后从LED芯片的上表面取出,有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率;同时,通过所述第一欧姆接触层、第二欧姆接触层和通孔的配合接触,在保证金属反射层与外延叠层的半导体材料接触的同时,可横向阻挡所述金属反射层和电极的金属扩散。

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