三星申请半导体存储器装置专利，提高存储器的结构效率lg...

摘要：金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体存储器装置“，公开号CN117641903A，申请日期为2023年8月。专利摘要显示，一种半导体存储器装置包括：基板；多条导线，其在基板上在第一水平方向上延伸并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上彼此间隔开；第一单元堆叠件，其在多条导线中的每一条上并且包括多个第一竖直晶体管结构和多个第一连接接触件；第二单元堆叠件，其在第一单元堆叠件上并且包括多个第二竖直晶体管结构和多个第二连接接触件；以及多个电容器结构，其布置在第二单元堆叠件上并且连接到多个第一竖直晶体管结构和多个第二竖直晶体管结构。