扬杰科技申请隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法专利，可提高器件的开关性能，降低开关损耗lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“隔离栅碳化硅晶体管及其制备方法“，公开号CN117316982A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，隔离栅的碳化硅晶体管及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的碳化硅衬底，碳化硅漂移层和正面金属层；所述碳化硅漂移层的顶面设有向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区；所述NP区内设有向下延伸的PP区；所述碳化硅漂移层的顶面依次设有向上伸入正面金属层内的栅氧层和Poly层；所述碳化硅漂移层的顶面设有包裹所述栅氧层和Poly层的氧化物隔离层，所述氧化物隔离层底端分别与碳化硅漂移层和NP区连接；所述氧化物隔离层的侧部设有与PP区连接的欧姆接触金属层。本发明一定程度上可提高器件的开关性能，降低开关损耗。