扬杰科技申请碳化硅MOSFET专利，提高了体二极管的导通能力lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法”，公开号CN117317017A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述碳化硅漂移层顶面的端部和中部分别设有从下而上依次设置的栅氧层、Poly层和隔离层；所述隔离层从侧部向下延伸与NP区连接；本发明通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。