新洁能申请超结功率半导体专利，能够明显缩小元胞尺寸，降低导通电阻lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，无锡新洁能股份有限公司申请一项名为“一种超结功率半导体器件及其制造方法“，公开号CN117317014A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及一种超结功率半导体器件及其制造方法。包括自下而上依次设置第一导电类型衬底、外延层、绝缘介质层和源极金属，在所述外延层靠近绝缘介质层的一侧设有多条第二导电类型柱，每一条所述第二导电类型柱由n段第二导电类型短柱组成，其中，n为大于或等于2的整数；将所述外延层与所述绝缘介质层的交界面设为水平面，所述第二导电类型短柱偏转于所述水平面的铅锤线；同一条第二导电类型柱内，各所述第二导电类型短柱的偏转方向一致，相邻的所述第二导电类型柱内，所述第二导电类型短柱的偏转方向相反。本发明提供一种超结功率半导体器件及其制造方法，能够明显缩小元胞尺寸，降低导通电阻，其制造方法与现有工艺兼容且制造方法简单。