北京大学申请超低功耗存储器专利，减小了写延迟，提高了噪声容限lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种超低功耗的静态随机存取存储器单元“，公开号CN117316234A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种超低功耗的静态随机存取存储器单元，该单元电路包括双反相器子电路、第一写缓冲子电路、第二写缓冲子电路和读缓冲子电路，双反相器子电路作为存储单元，通过交叉耦合实现对数据的锁存操作，所述第一写缓冲子电路和第二写缓冲子电路均采用一NMOS，第一写缓冲子电路与第一写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作；第二写缓冲子电路与第二写位线和双反相器子电路连接，由写字线控制通断，实现对存储单元的写操作。本发明使用单个NMOS作为写缓冲子电路，相比于传统TFET SRAM从根本上避免TFET单向导通、正向p?i?n电流和串联电流衰减问题，减小了写延迟，提高了噪声容限。