中芯集成-U申请MEMS器件及其制作方法专利，提高MEMS器件的可靠性且可以提高MEMS器件的灵敏度lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“MEMS器件及其制作方法“，公开号CN117303307A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明提供一种MEMS器件及其制作方法。所述MEMS器件的制作方法包括：提供衬底；在衬底内形成埋层，埋层与衬底的顶面之间具有预定距离，以埋层上方的衬底作为振膜；从衬底的背面一侧刻蚀衬底并停止在埋层表面，形成位于衬底中的背腔；以及通过背腔至少去除部分埋层形成第一空腔，第一空腔释放振膜靠近背腔的表面。如此振膜和衬底为一体式结构，可以降低振膜分层的概率，提高MEMS器件的可靠性且可以提高MEMS器件的灵敏度。所述MEMS器件的衬底中具有第一空腔以及背腔，第一空腔位于衬底内部，背腔位于第一空腔靠近衬底背面的一侧且与第一空腔贯通，衬底顶部的部分跨越在第一空腔上方，以衬底顶部的跨越在第一空腔上方的部分作为MEMS器件的振膜。