格力电器申请沟槽栅MOSFET专利，有效解决沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧损伤的问题lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，珠海格力电器股份有限公司申请一项名为“沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备方法以及沟槽栅MOSFET“，公开号CN117316980A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备方法以及沟槽栅MOSFET。该元胞结构包括：第一导电类型的第一半导体层、第一埋层和第一源极层，第二导电类型的第二半导体层，栅极和沟槽；第二半导体层形成在第一半导体层上部，沟槽和第一埋层均形成在第二半导体层内；沟槽呈环形结构，在环形方向上，沟槽的至少部分下方设有第一埋层，第一埋层与沟槽和第一半导体层相接触；栅极形成在沟槽内；第一源极层形成在第二半导体层位于沟槽围成区域的上部。元胞结构形成深P型结，该深P型结可以有效解决沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧损伤的问题，从而保证设有该元胞结构的沟槽栅MOSFET的可靠性。