中芯集成-U申请沟槽MOS晶体管器件及其制备方法专利，提高了沟槽MOS晶体管器件的电性，还增加了沟槽MOS晶体管器件的可靠性lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法“，公开号CN117316990A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明提供一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法，沟槽MOS晶体管器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底中形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽的侧壁和底壁上形成有栅氧层，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层覆盖所述栅极沟槽的侧壁和底壁，所述第二栅氧层覆盖所述第一栅氧层，其中，所述第二栅氧层为PETEOS层或PEOX层，且所述栅氧层的侧壁厚度小于底壁厚度。本发明通过栅氧层的侧壁厚度小于底壁厚度，相较于现有技术，增厚了栅极沟槽拐角处的栅氧层厚度，从而降低了栅氧层在拐角处的电场峰值，提高了沟槽MOS晶体管器件的电性，还增加了沟槽MOS晶体管器件的可靠性。