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厦门钨业申请一种过渡层粉体、过渡层及其制备方法与应用专利,提升了纯度99wt%以上的高纯氧化铝陶瓷基底与钨材料之间的连接强度

2023-12-30 17:23:40
金融界
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摘要:金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,厦门钨业股份有限公司申请一项名为“一种过渡层粉体、过渡层及其制备方法与应用“,公开号CN117303931A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明涉及一种过渡层粉体、过渡层及其制备方法与应用,所述过渡层粉体的制备原料由钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝组成;以质量百分比计,所述过渡层粉体的制备原料中钨的质量百分比为75wt%以上;所述钨与氧化锰的质量比为8:1至20:1本发明提供的过渡层粉体的制备原料使用钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝,并控制钨与氧化锰的比例,使其在应用时能够在高纯氧化铝陶瓷基底上形成具有微小孔隙的钨骨架结构的过渡层,便于铜基钎料熔化进入过渡层的钨骨架孔隙形成钨铜熔渗效果,且具有润湿钨材料的效果,从而提升了纯度99wt%以上的高纯氧化铝陶瓷基底与钨材料之间的连接强度。

金融界2023年12月30日消息,据国家知识产权局公告,厦门钨业股份有限公司申请一项名为“一种过渡层粉体、过渡层及其制备方法与应用“,公开号CN117303931A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本发明涉及一种过渡层粉体、过渡层及其制备方法与应用,所述过渡层粉体的制备原料由钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝组成;以质量百分比计,所述过渡层粉体的制备原料中钨的质量百分比为75wt%以上;所述钨与氧化锰的质量比为8:1至20:1本发明提供的过渡层粉体的制备原料使用钨、氧化锰、二氧化硅与三氧化二铝,并控制钨与氧化锰的比例,使其在应用时能够在高纯氧化铝陶瓷基底上形成具有微小孔隙的钨骨架结构的过渡层,便于基钎料熔化进入过渡层的钨骨架孔隙形成钨铜熔渗效果,且具有润湿钨材料的效果,从而提升了纯度99wt%以上的高纯氧化铝陶瓷基底与钨材料之间的连接强度。

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