中芯集成-U申请功率放大器件及其制备方法专利，提高了集成度并降低了材料成本lg...

摘要：金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种功率放大器件及其制备方法“，公开号CN117316943A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明提供一种功率放大器件及其制备方法，所述功率放大器件包括硅衬底和HBT晶体管，所述硅衬底中设置有凹槽，所述HBT晶体管固定粘结在所述凹槽中，在所述硅衬底上形成有布线结构，所述布线结构还覆盖所述HBT晶体管，所述布线结构具有无源器件，所述布线结构还将所述HBT晶体管的集电区、基区和发射区引出。本发明通过HBT晶体管集成至硅衬底上，并将无源器件(例如电阻、电容和电感)设置在硅衬底上，与现有技术相比，提高了集成度，还节省了GaAs衬底的使用面积，降低了功率放大器件的材料成本。