三星取得半导体存储器件及其制造方法专利，该半导体存储器件包括：第一半导体图案，在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端lg...

摘要：金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件及其制造方法“，授权公告号CN111863825B，申请日期为2020年3月。专利摘要显示，公开了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括：第一半导体图案，在衬底上并包括彼此背对的第一端和第二端；第一导电线，在该第一端和该第二端之间、与该第一半导体图案的侧表面相邻并垂直于衬底的顶表面；第二导电线，与第一半导体图案的第一端接触，与第一导电线间隔开，并平行于衬底的顶表面；以及数据存储图案，与第一半导体图案的第二端接触。第一导电线具有与第一半导体图案的侧表面相邻地突出的突起。