三星取得极紫外曝光设备专利，提高半导体装置制造效率lg...

摘要：金融界2023年12月28日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“极紫外曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法”，授权公告号CN111880374B，申请日期为2019年12月。专利摘要显示，公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。