中国声称在美国制裁的情况下，芯片设备制造方面已经取得进展lg...

据彭博报道，中国宣布在国产芯片制造设备的研发上取得突破。中国工业和信息化部本月发布公告，建议使用一台分辨率达65纳米或更好的新型基于激光的浸没式光刻机。

虽然公告未明确供应商，但这一规格比之前最先进的国产设备——由上海微电子装备集团公司（SMEE）研发的约90纳米设备，有了显著提升。

芯片制造设备是中国半导体发展面临的关键瓶颈之一，美国正在这方面加大制裁力度。像SMEE这样的公司正全力研发能够缩小与ASML控股公司等供应商之间差距的设备。

目前，ASML已被禁止向中国出口设备。

中国工信部上周宣称的进展表明，中国本土公司可能已经在开发更复杂设备方面开始取得进展，尽管SMEE及其同行距离赶超ASML这样的公司还有很长的路要走。

设备的分辨率，决定了集成电路可以印刻在硅片上的规模，而ASML最先进的光刻机的分辨率现在约为8纳米。提高晶体管密度的一种方法是多次蚀刻低分辨率的图案，正如华为所采用的，这有助于缩小差距。

然而，美国主导的限制中国获取先进芯片和芯片制造设备的行动，已经阻碍了中国在人工智能等新兴技术发展方面的竞争力，这些技术需要最先进的半导体。

在公告中，工信部还列举了一系列希望得到更大范围应用的国产芯片相关设备，包括氧化炉和干法蚀刻设备。

中国半导体制造商很少透露其芯片制造技术的细节，这一领域已被北京视为“对国家安全具有战略意义”的关键。2023年SMEE宣冇已经成功研发出一台可以生产28纳米芯片的光刻机。但尚不清楚这台设备是否已经投入生产，也不清楚与工信部上周发布的公告之间的关系。

尽管普遍认为中国难以突破其目前的技术水平，以一年前华为推出的7纳米麒麟移动芯片为代表，但缺乏透明度引发了华盛顿方面对其贸易限制效果的担忧。

拜登政府已对中国实施了全面的出口管制，并敦促荷兰对ASML在中国的业务采取更严格的限制。中国依赖于ASML的浸没式深紫外光刻系统来推进芯片制造技术，国内尚未能开发出同等能力的设备。