中国突传重磅！中国宣布芯片设备制造取得进展 彭博:克服美国制裁的重要一步lg...

FX168财经报社(亚太)讯 美国彭博社周二(9月17日)报道称，中国宣布在国产芯片制造设备的研发上取得突破。彭博社称，这是克服美国制裁的重要一步。这些制裁旨在阻碍中国实现其半导体目标。

(截图来源：彭博社)

中国工业和信息化部在本月的一份公告中表示，建议使用一台分辨率达65纳米或更好的新型基于激光的浸没式光刻机。

尽管这份没有具体说明是哪家供应商，但这一规格比之前最先进的国产设备——由上海微电子装备集团公司(SMEE)研发的约90纳米设备，有了重大进步。

彭博社指出，芯片制造设备是中国半导体雄心的关键瓶颈之一，而美国正试图遏制中国的半导体雄心。像SMEE这样的公司正在竞相研发设备，以缩小与阿斯麦(ASML Holding NV)等供应商的差距，这些供应商现在被禁止向中国发货。

中国工信部上周宣布的进展表明，中国本土竞争对手已经在开发更复杂设备方面开始取得进展，尽管SMEE及其同行距离赶超阿斯麦这样的公司还有很长的路要走。

设备的分辨率决定了集成电路可以印刻在硅片上的规模，而阿斯麦最先进的光刻机的分辨率现在约为8纳米。提高晶体管密度的一种方法是多次蚀刻低分辨率的图案，华为(Huawei Technologies Co.)采用了这种方法，这有助于缩小差距。

尽管出现进展，但彭博社指出，美国主导的限制中国获取先进芯片和芯片制造设备的行动，已经阻碍中国在人工智能等新兴技术发展方面的竞争力；这些技术需要最先进的半导体。

在公告中，中国工信部还列举了一系列国产芯片相关设备，希望看到它们得到更广泛的应用，包括氧化炉和干式蚀刻设备。

值得注意的是，中国半导体制造商很少透露其芯片制造技术的细节，因为该领域已被北京方面认定为对国家安全具有“战略关键”的领域。

张江集团(Zhangjiang Group)在2023年宣布，SMEE已成功开发出可用于制造28纳米芯片的光刻机。目前还不清楚这台机器是否已经投产，也不清楚它与工信部上周的通知有何关系。

彭博社指出，尽管外界普遍认为，中国将很难超越目前的先进水平，但缺乏透明度引发华盛顿对其贸易限制有效性的担忧。

拜登政府对中国实施了全面的出口管制，并敦促荷兰对阿斯麦在中国的业务施加更严格的限制。

中国依靠阿斯麦的浸没式深紫外光刻系统来推进其芯片制造技术，因为中国尚未能够开发出类似能力的设备。