低点反弹30%+，拐点真的来了！lg...

存储芯片在各类应用场景几乎不可或缺，更是伴随AI应用爆发需要升级迭代的硬件基础，“内存墙”的桎梏，让三星电子、美光、SK 海力士等吃到第一波丰盛的果实。

但今年以来，随着国产大模型DeepSeek在应用端的高歌猛进，A股算力、机器人、半导体等科技主题概念集体爆发，存储芯片这一细分领域也不例外。

以存储概念为例，板块自1月7日开始企稳反弹，目前累计涨幅已超30%。

然而，供不应求的只有企业级存储市场，消费级市场芯片价格处于跌势当中，整体拖累了存储芯片市场的复苏。 

现如今，曙光终于迎来。

01

算力需求转移：从训练到推理

前不久，阿里宣布未来三年云和AI基建投入预计超过去10年总和，到近期多家A股公司公布算力订单，验证AI基建需求大趋势。

在以阿里为首的国内云厂商资本开支增加的推动下，AI应用落地有望加速，AI商业模型有望闭环。

而存力作为贯通上游算力设施和下游终端设备的重要部分，在AI基建浪潮的下半场也同样应该得到重视。

当前，用于AI训练和推理的数据中心对HBM（高带宽内存）和SSD（固态硬盘）的需求旺盛。

HBM由多个DRAM颗粒堆叠而成，是高性能AI芯片的刚需，而SSD则由NAND Flash颗粒（一种非易失性存储介质，下称闪存）制成，用于存储大量数据，两种颗粒占据了高性能存储芯片市场。

这类高性能存储芯片在性能上满足了现代数据中心对高效能、低延迟的需求。一方面需要HBM（高带宽内存）将数据快速交给处理器运算，另一方面又需要大容量SSD（固态硬盘）存储大量数据。

并且，随着数据量和算力的提升，存储芯片的价值增量更大。

根据行业测算，单台通用服务器用内存DRAM+硬盘NAND合计价值量在5000美元左右，AI服务器（不考虑HBM）价值量则预计超过10000美元。去年头部存储芯片企业便吃到了红利。

受益于作为英伟达的主要供应商，高带宽内存（HBM）销售强劲，韩国SK海力士四季度收入和运营利润双双创历史新高，当季利润首次超越“老大哥”三星。

公司全年实现“历史最佳年度业绩”，总营收实现66.19万亿韩元，净利润率为30%。

在业绩指引方面，公司还表示2025年HBM的销售额还会再翻一倍，计划扩大HBM3E供应，并适时开发HBM4以满足客户需求。

去年下半年以来，随着豆包、DeepSeek国产大模型应用的成功出圈，国产AI产业链预期将引来需求推动的新一轮基建投入。

再深入细化，算力需求并非主要依靠强调先进算力的模型训练侧支撑，也就是要用上最为先进的AI芯片，而是遵循“杰文斯悖论”的神奇规律，未来推理端需求的增长将大幅促进AI芯片的用量。

虽然，美国一系列制裁有意限制国产AI算力发展，譬如只提供阉割版的英伟达。这种情况下，国产AI芯片作为国产算力基建的底座，积极去适配DeepSeek大模型应用，反而会加强协同上下游互相支持，带动整个市场快速成长。

近几年，合肥长鑫、长江存储等企业奋起直追，带领国内存储产业链重复中国电动汽车的故事。

国内企业正加大对技术研发的投入，特别是在高密度存储技术、低功耗技术以及存算一体融合上，取得了重要进展。

据Techpowerup报道，虽然在制程上与三星美光等厂商仍有差距，但长鑫存储在DDR5芯片生产的良品率上取得重大进展，已达到约80%，与最初量产时的50%相比有了大幅度的提升。

并且，据称，目前全球最先进的HBM开发到了HBM3e，长鑫存储已经在HBM2上取得了进展，正在进行客户取样，预计2025年中期开始小批量生产。

而长江存储率先将名为“晶栈（Xtacking）架构”的混合键合技术应用于3D NAND闪存并不断迭代。目前已经正式上市开售的新款致态TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已经确认搭载该款新架构闪存。

据外媒消息表明，三星有望从其第10代NAND开始采用长江存储的专利混合键合技术，成为了国产存储的里程碑时刻。

根据IT之家报道，市场调研机构 TrendForce 集邦咨询表示，2024年四季度全球DRAM内存产业实现 280 亿美元营收，较一年前的行业低谷期则录得63.8%增长；全球NAND Flash市场规模达174.1亿美元，同比增长 42.4%。

看似强劲的反弹迹象下，不同存储市场产品结构和库存水平依然存在不平衡的问题。

不过随着下游市场需求回暖，新的AI硬件放量，供给端芯片厂商主动减产，或战略性调整产品结构，退出低附加值芯片并转向高附加值存储芯片，给予库存更快的调整动力。

02

复苏已经启动？

在去年这轮“泼天富贵”之前，存储芯片行业此前经过了很长时间的低谷期。

早在疫情刚开始的2020年，由于全球性的芯片短缺，让很多厂商对疫情和局势产生了错判，囤积了大量的芯片。最终结果就是导致供大于求，存储芯片成为了厂商巨大的库存压力，因此在2022年到2023年上半年间，存储芯片价格一直处于低位。

于是头部存储芯片厂商带头通过削减资本开支、持续减产、提价清库存等一系列“自救”措施后，存储芯片的行情自2023年第三季度起开始回升。

但在去年三季度以后，存储芯片价格趋势在不同应用领域呈分化现象，企业级的强劲需求推动平均售价上涨近15%，而消费级订单减少，价格出现下滑。

消费级存储芯片的两大下游应用手机、笔记本电脑去年政策补贴，促销后时隔两年再次恢复增长，亦难以改变上游存储芯片供过于求的局面。

主流存储器（DRAM和 NAND）价格自24年下半年开始下跌，消费类已据高点下调超20%，企业级存储器也下调约10-20%。

除了存储芯片需求不振以外，端侧移动设备正在经历着AI革命，如同企业级存储产品需要迭代，算力和数据的加持实现了各种智能功能，而数据存放及高效读写需要更强大的存储芯片为其提供助力。

去年手机、电脑厂商用AI硬件打响了高端化设备的竞争，存储芯片的容量、速度和能效成为影响用户使用体验的一环，这类产品销量占比的提升，未来还将持续挤压低端存储芯片产品的需求，因此加快了库存堆积。

另一方面，企业级存储市场吃到饱的头部芯片厂商，都有意愿进行产品结构调整，部分DDR4与HBM产能转向服务器DDR5，更加重去库存压力。

存储原厂为应对部分应用市场供应过剩已积极实施转产和减产举措，但目前整体上存储

市场仍处于供需失衡状态，而存储价格也从2024年四季度起，除AI服务器外的应用市场外普遍走跌，行情的转变逐渐传导并反映国内外存储品牌厂商的业绩当中。

譬如三星电子表示，像DDR4和LPDDR4等传统产品，2024年销售额占比已经30%以下，计划2025年将大幅缩减至个位数；SK海力士的销售比例里，去年四季度的HBM占DRAM 总营收比例已经超过四成，预测今年HBM销售将增加一倍。

因此，由于PC、智能手机一季度淡季可能不会有太好的表现，根据TrendForce，预测2025年第1季度NAND Flash平均合约价环比下降 10~15%；DRAM合约价环比下降 8~13%。

不过，持续低迷的价格到了二季度，应该会变得好一些。每当存储芯片价格跌到低谷，减产、清库存、提价就会慢慢提上日程。

根据科创板日报援引 TechPowerup 报道，三星、SK 海力士、铠侠、美光均已开始研究 NAND 闪存减产计划，从而缓解供需失衡并稳定价格，预计相关厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行。

就在周五，存储产品供应商闪迪（SanDisk）发予客户的涨价函披露，将于今年4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。不仅如此，闪迪还预告将继续进行频繁的定价审查，预计在接下来的季度还会有额外的涨幅。

国内几家专门存储芯片模组的上市公司中，包括江波龙、德明利、佰维存储等出于消息面上涨，其中德明利一度涨停。对于对国内存储模组厂商而言，涨价预计将会迅速跟进，由于市场非常透明，传导速度会很快。

此前机构预计，今年下半年消费类存储价格年中或将迎来反弹，企业级存储价格将保持稳定。Trendforce集邦咨询预计2025年三季度、四季度 NAND整体价格将环比增长10%-15%、8%-13%。

03

尾声

和算力需求转移一块，国产替代作为AI基建下半场的另一条主旋律，推动了今年半导体板块估值的继续提升，主要环节服务器CPU\GPU、算力PCB等迅速录得巨大涨幅，股价甚至屡创新高。

而国内领先的存储芯片厂商，譬如兆易创新、北京君正，在下半年存储芯片价格下跌的情况下，相较此前市值跌势，股价才刚刚走出低点。

随着厂商减产、去库存作用逐渐显现，低价资源供应紧俏将有助于减缓市场竞价出货，进而减少低价产品供应并抬高价格底线，加速供需关系走向平衡。

至于AI硬件，是更长线的故事。无论是芯片厂商还是模组厂商，有望凭借技术升级抓住这波机遇。(全文完）