全环绕栅极晶体管(GAAFET)市场洞察

全环绕栅极晶体管(GAAFET)是一种全新的晶体管结构，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是当前FinFET工艺中的三个侧面，可进一步增强栅极控制能力，克服当前技术的物理缩放比例和性能限制，正取代FinFET成为集成电路中的核心器件。

2023年全球全环绕栅极晶体管(GAAFET)市场规模大约为 百万美元，预计2030年达到 百万美元，2024-2030期间年复合增长率（CAGR）为 %。就销量而言，2023年全球全环绕栅极晶体管(GAAFET)销量为 ，预计2030年将达到 ，年复合增长率为 %。

全球市场全环绕栅极晶体管(GAAFET)主要厂商包括Samsung, 等，其中2023年，全球前三大厂商占有大约 %的市场份额。

2023年，美国全环绕栅极晶体管(GAAFET)市场规模约为 百万美元，预计未来几年年复合增长率为 %，同期中国市场规模为 百万美元，并于 %的年复合增长率保持增长。欧洲也是重要的市场，2023年占全球份额为 %，其中德国扮演重要角色。从全球其他地区来看，日本和韩国也是重要的两大地区，预计未来几年CAGR分别为 %和 %。

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