台积电取得半导体装置结构专利，实现优化的半导体装置结构设计lg...

摘要：金融界2024年5月1日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置结构“的专利，授权公告号CN220873584U，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，一种半导体装置结构，包括基板，具有相对的第一侧与第二侧；以及外延源极/漏极结构，与基板的第一侧相邻，其中外延源极/漏极结构包括第一外延层；第二外延层，接触第一外延层；以及第三外延层，且第二外延层围绕并接触第三外延层的多个侧壁。装置结构亦包括第一硅化物层，接触基板、第一外延层、第二外延层、与第三外延层；第一源极/漏极接点，自第一侧延伸穿过基板至第二侧；以及第一金属盖层，位于第一硅化物层与第一源极/漏极接点之间。