台积电取得半导体封装结构专利，专利技术能实现电连接第一及第二RDL结构lg...

摘要：金融界2024年5月1日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体封装结构“，授权公告号CN220873573U，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本实用新型实施例涉及一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包含：裸片，其具有前侧及背侧；第一重布层RDL结构，其放置于所述裸片的所述背侧上；第二RDL结构，其放置于所述裸片的所述前侧上并电连接到所述裸片的所述前侧；贯穿集成式扇出通路TIV，其横向于所述裸片放置并延伸以电连接所述第一及第二RDL结构；模塑料，其放置于所述第一及第二RDL结构之间；增强层，其放置于所述第二RDL结构上；多个预焊凸块；及多个焊球，其放置于所述第二RDL结构上并电连接到所述第二RDL结构。所述增强层包含电连接到所述第一RDL结构的多个串接开口。所述预焊凸块中的每一者放置于所述串接开口中的一者中。