长鑫存储取得存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件专利，保证数据完成写入到存储电容lg...

摘要：金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件“，授权公告号CN114121096B，申请日期为2020年8月。专利摘要显示，本发明实施例提供一种存储器的调节方法、调节系统以及半导体器件，其中，存储器的调节方法包括：获取晶体管的温度、晶体管的栅电压以及存储器的实际数据写入时间的映射关系；获取晶体管的当前温度；基于当前温度以及映射关系调整栅电压，以使调整后的栅电压对应的实际数据写入时间在预设写入时间内。由于温度会影响存储器的实际数据写入时间，首先获取晶体管的温度、晶体管的栅电压以及存储器的实际数据写入时间之间的映射关系，根据晶体管的当前温度获取存储器的实际数据写入时间，通过调整晶体管的栅电压以调整晶体管在当前温度下存储器的实际数据写入时间，以使调整后的数据写入时间在预设时间内，保证数据完成写入到存储电容。