台积电取得半导体器件专利，专利技术能实现优化晶体管结构lg...

摘要：金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“的专利，授权公告号CN113764515B，申请日期为2021年2月。专利摘要显示，根据本公开的实施例的半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括位于第一和第二源极/漏极部件之间的第一沟道构件、包围在第一沟道构件周围的第一栅极结构、设置在第一源极/漏极部件上方的第一源极/漏极接触件以及设置在第一栅极结构与第一源极/漏极接触件之间的第一顶部栅极间隔件。第二晶体管包括位于第三和第四源极/漏极部件之间的第二沟道构件、包围在第二沟道构件周围的第二栅极结构、设置在第三源极/漏极部件上方的第二源极/漏极接触件以及设置在第二栅极结构与第二源极/漏极接触件之间的第二顶部栅极间隔件。第二栅极间隔件和第二源极/漏极接触件之间的距离大于第一栅极间隔件和第一源极/漏极接触件之间的距离。