台积电取得半导体封装件、半导体器件及其形成方法专利，实现具有液冷通道的半导体器件及其形成方法lg...

摘要：金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体封装件、半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN113675178B，申请日期为2021年2月。专利摘要显示，公开了包括具有液冷通道的盖的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：第一集成电路管芯；盖，耦合至第一集成电路管芯，该盖包括位于盖的与第一集成电路管芯相反的表面中的多个通道；冷却盖，与第一集成电路管芯相反地耦合至盖；以及传热单元，通过管配件耦合至冷却盖，该传热单元被配置为通过冷却盖将液体冷却剂供应至多个通道。本申请的实施例提供了半导体封装件、半导体器件及其形成方法。