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京东方A申请阵列基板及其制备方法、液晶盒、显示装置专利

2024-03-30 21:23:09
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摘要:金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“阵列基板及其制备方法、液晶盒、显示装置“,公开号CN117795408A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,阵列基板(39)及其制备方法、液晶盒(42)、显示装置。阵列基板(39)包括:第一衬底基板(1);多个薄膜晶体管(2);第一平坦化层(3);公共电极(4),位于第一平坦化层(3)背离薄膜晶体管(2)的一侧;第一介质层(5),位于公共电极(4)背离第一平坦化层(3)的一侧;多个第一像素电极(6),位于第一介质层(5)背离公共电极(4)的一侧;第一像素电极(6)通过贯穿第一介质层(5)以及第一平坦化层(3)的第一过孔(7)与薄膜晶体管(2)一一对应电连接;第一像素电极(6)背离第一衬底基板(1)一侧的表面具有至少与第一过孔(7)对应的第一凹槽(8);多个平坦部(9),位于第一凹槽(8)背离第一衬底基板(1)的一侧;平坦部(9)远离第一衬底基板(1)一侧的表面到第一衬底基板(1)的距离与第一像素电极(6)远离第一衬底基板(1)一侧表面到第一衬底基板(1)的距离大致相同。

金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“阵列基板及其制备方法、液晶盒、显示装置“,公开号CN117795408A,申请日期为2022年7月。

专利摘要显示,阵列基板(39)及其制备方法、液晶盒(42)、显示装置。阵列基板(39)包括:第一衬底基板(1);多个薄膜晶体管(2);第一平坦化层(3);公共电极(4),位于第一平坦化层(3)背离薄膜晶体管(2)的一侧;第一介质层(5),位于公共电极(4)背离第一平坦化层(3)的一侧;多个第一像素电极(6),位于第一介质层(5)背离公共电极(4)的一侧;第一像素电极(6)通过贯穿第一介质层(5)以及第一平坦化层(3)的第一过孔(7)与薄膜晶体管(2)一一对应电连接;第一像素电极(6)背离第一衬底基板(1)一侧的表面具有至少与第一过孔(7)对应的第一凹槽(8);多个平坦部(9),位于第一凹槽(8)背离第一衬底基板(1)的一侧;平坦部(9)远离第一衬底基板(1)一侧的表面到第一衬底基板(1)的距离与第一像素电极(6)远离第一衬底基板(1)一侧表面到第一衬底基板(1)的距离大致相同。

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