芯天下申请Flash良率改良方法专利，改善Flash的良率lg...

摘要：金融界2024年3月23日消息，据国家知识产权局公告，芯天下技术股份有限公司申请一项名为“Flash良率改良方法、编程方法及相关设备“，公开号CN117743204A，申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Flash良率改良方法、编程方法及相关设备，其中，Flash良率改良方法包括步骤：在晶圆测试阶段的测试模式下，对芯片进行全片编程，以获取异常页；基于异常页建立坏页表，以使NAND Flash在执行编程操作时跳过坏页表内的异常页进行编程；在晶圆测试阶段的测试模式下，基于擦除操作对芯片进行冗余替换处理；该Flash良率改良方法基于冗余替换处理替换掉擦除错误单元，基于编程错误单元建立坏页表以使NAND Flash在实际使用过程中能跳过对坏页表中异常页执行的页编程操作，使得冗余单元能针对更多擦除错误单元进行冗余替换处理，以改善Flash的良率。