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华为公司申请功率放大器电路、射频电路及通信设备专利,降低功率单元中不同晶体管的温度差,提高整个PA电路的寿命

2024-03-22 12:45:37
金融界
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摘要:金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“功率放大器电路、射频电路及通信设备“,公开号CN117751519A,申请日期为2021年8月。专利摘要显示,本申请提供一种功率放大器电路、射频电路及通信设备,涉及电子技术领域,用于降低功率单元中不同晶体管的温度差,提高整个PA电路的寿命。该功率放大器包括:具有输入端、偏置端和输出端的功率单元;该功率单元包括:多个晶体管,多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管:第一晶体管的基极/栅极通过第一电容与输入端耦合、通过第一电阻与偏置端耦合,第二晶体管的基极/栅极通过第二电容与输入端耦合、通过第二电阻与偏置端耦合,第一晶体管和第二晶体管的集电极/漏极与输出端耦合,第一晶体管和第二晶体管的发射极/源极与接地端耦合,第一电阻与第二电阻的阻值不同。

金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“功率放大器电路、射频电路及通信设备“,公开号CN117751519A,申请日期为2021年8月。

专利摘要显示,本申请提供一种功率放大器电路、射频电路及通信设备,涉及电子技术领域,用于降低功率单元中不同晶体管的温度差,提高整个PA电路的寿命。该功率放大器包括:具有输入端、偏置端和输出端的功率单元;该功率单元包括:多个晶体管,多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管:第一晶体管的基极/栅极通过第一电容与输入端耦合、通过第一电阻与偏置端耦合,第二晶体管的基极/栅极通过第二电容与输入端耦合、通过第二电阻与偏置端耦合,第一晶体管和第二晶体管的集电极/漏极与输出端耦合,第一晶体管和第二晶体管的发射极/源极与接地端耦合,第一电阻与第二电阻的阻值不同。

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