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晶合集成取得CN117420724B专利,提高半导体产品的良率

2024-03-14 09:52:03
金融界
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摘要:金融界2024年3月14日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法“,授权公告号CN117420724B,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明提供一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法,掩膜版结构包括:掩膜版主体;多个主图形,设置于所述掩膜版主体上,在一组主图形中,多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置,相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距;以及多个辅助图形,设置于每个所述主图形的周围,每个所述辅助图形设有孔洞;其中,在一组主图形中,每个主图形与两个辅助图形对应,两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。本发明可提高掩膜版结构在曝光处理后通孔的真圆度,提高通孔和金属层的接触面积,并提高半导体产品的良率。

金融界2024年3月14日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司取得一项名为“一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法“,授权公告号CN117420724B,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本发明提供一种掩膜版结构及其拐角边缘放置误差值的统计方法,掩膜版结构包括:掩膜版主体;多个主图形,设置于所述掩膜版主体上,在一组主图形中,多个主图形沿所述掩膜版主体的横向方向上布置,相邻两个主图形在所述掩膜版主体的纵向方向上存在间距;以及多个辅助图形,设置于每个所述主图形的周围,每个所述辅助图形设有孔洞;其中,在一组主图形中,每个主图形与两个辅助图形对应,两个所述辅助图形关于其对应的所述主图形对称设置。本发明可提高掩膜版结构在曝光处理后通孔的真圆度,提高通孔和金属层的接触面积,并提高半导体产品的良率。

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