三星转向竞争对手技术，力求在人工智能芯片市场迎头赶上lg...

据路透社近日报道，面临人工智能芯片市场的激烈竞争，三星电子计划采纳竞争对手SK海力士所青睐的芯片制造技术，以期在这场关乎未来技术制高点的较量中取得优势。

随着生成式人工智能应用的快速普及，对于支持其运作的高带宽内存（HBM）芯片需求急剧增加。然而，在这场围绕人工智能芯片的争夺战中，三星的表现引人关注。与SK海力士和美光科技等竞争对手相比，三星显然落后一步，显著的一点便是其与人工智能芯片领域的佼佼者英伟达（Nvidia）并未达成任何新的HBM芯片供应协议。

业界分析师认为，造成三星在人工智能芯片市场暂时落后的原因之一是，该公司一直坚守使用非导电薄膜（NCF）这一芯片制造技术。而竞争对手SK海力士为了克服NCF技术的固有弱点，已转向采用大规模回流成型下填充（MR-MUF）方法。虽然这种新技术在生产过程中也存在问题，但海力士的这一选择显然帮助其在市场竞争中占据了先机。

三星对此回应称，NCF技术仍然是其HBM产品的“最佳解决方案”，并将被应用于新推出的HBM3E芯片中。同时，该公司坚称有关其将应用MR-MUF技术于HBM生产的传闻并不属实。然而，据消息人士透露，三星已经开始与包括日本永濑（Nagase）在内的材料生产商探讨MUF材料的采购事宜，这或许暗示着三星在技术路线上的转变。

不过，即使三星决定采用MUF技术，其在大规模生产使用该技术的高端芯片方面仍面临诸多挑战。报道指出，由于需要进行更多的测试，三星最早也要到明年才能准备好使用MUF技术的大规模生产。这意味着，在短期内，三星在人工智能芯片市场的竞争仍将面临压力。

尽管如此，三星仍计划在其最新的HBM芯片中同时使用NCF和MUF技术，以期在保持其现有技术优势的同时，弥补与竞争对手的差距。这一战略决策无疑突显了三星在人工智能芯片竞争中的决心和野心。

值得注意的是，人工智能相关需求的激增正推动着HBM芯片市场的飞速发展。根据市场研究机构TrendForce的数据，今年HBM芯片市场规模预计将增长超过一倍，达到近90亿美元。这无疑为三星等芯片制造商提供了巨大的商机，也将进一步加剧该领域的竞争。