台积电取得半导体器件及其形成方法专利，实现晶体管和电阻器的优化连接lg...

摘要：金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN111627906B，申请日期为2020年2月。专利摘要显示，一种半导体器件包括晶体管和电阻器。晶体管串联连接在电源端子和接地端子之间，并且晶体管的栅极端子连接在一起。电阻器覆盖在晶体管上方。电阻器连接在晶体管的源极端子和接地端子之间。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。