台积电取得制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法专利，提供一种半导体结构蚀刻溶液lg...

摘要：金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法“，授权公告号CN111106002B，申请日期为2019年9月。专利摘要显示，本发明一些实施例涉及制造半导体结构的蚀刻溶液与使用蚀刻溶液制造半导体结构的方法。本发明一些实施例提供一种半导体结构蚀刻溶液，其包含蚀刻剂、在所述半导体结构蚀刻溶液中具有大于10。