三星取得制造可变电阻存储器件的方法专利，能在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层lg...

摘要：金融界2024年2月23日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“制造可变电阻存储器件的方法“，授权公告号CN109786547B，申请日期为2018年11月。专利摘要显示，在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或大于约10。