三星取得半导体器件及其制造方法专利，提供了一种包括钝化间隔物的半导体器件及其制造方法lg...

摘要：金融界2024年2月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括钝化间隔物的半导体器件及其制造方法“，授权公告号CN109698133B，申请日期为2018年10月。专利摘要显示，提供了一种包括钝化间隔物的半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括提供衬底以及在所述衬底上形成层间绝缘层。所述方法包括在所述层间绝缘层中形成初步通孔。所述方法包括在所述初步通孔的内侧表面上形成钝化间隔物。所述方法包括使用所述钝化间隔物作为蚀刻掩模来形成通孔。所述方法包括在所述通孔中形成导电通路。所述钝化间隔物包括与包含在所述层间绝缘层中的绝缘材料不同的绝缘材料。