芯天下取得低擦除损伤专利，有效降低NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤lg...

摘要：金融界2024年2月5日消息，据国家知识产权局公告，芯天下技术股份有限公司取得一项名为“一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质“，授权公告号CN113409868B，申请日期为2021年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法：在对NOR FLASH进行擦除操作时，错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立时间点和/或释放时间点；该方法包含了两个阶段的操作以降低擦除操作的损伤，两个阶段的操作单独使用或同时使用，均可有效地避免正高压与负高压之间产生过大的压差而损伤MOS器件，从而可有效降低NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤。