三星申请制造半导体器件的方法专利，该方法能实现在同一腔室中交替地执行沉积导电层和蚀刻导电层lg...

摘要：金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“制造半导体器件的方法“，公开号CN117476454A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上依次堆叠牺牲层和支撑层、形成穿透牺牲层和支撑层以与衬底接触的底电极、图案化支撑层以形成将底电极彼此连接的支撑图案、去除牺牲层以暴露底电极的表面、在底电极的暴露表面和支撑图案的表面上沉积导电层、以及蚀刻导电层。蚀刻导电层包括选择性地去除在支撑图案上的导电层以暴露支撑图案的所述表面。沉积导电层和蚀刻导电层在同一腔室中交替地执行。