三星申请半导体器件专利，提高电子系统性能lg...

摘要：金融界2024年1月30日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的电子系统“，公开号CN117479536A，申请日期为2023年7月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括外围电路区和存储单元区。存储单元区可以包括：堆叠结构，包括在竖直方向上重复且交替地堆叠的栅电极和层间绝缘层；以及沟道结构，穿透堆叠结构。栅电极可以包括第一栅电极、第一栅电极上的第二栅电极、以及第二栅电极上的第三栅电极。每一个第一栅电极可以具有第一厚度。每一个第二栅电极的第二厚度可以大于第一厚度。每一个第三栅电极的第三厚度可以小于第二厚度。