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国民技术取得上电复位电路及芯片专利,降低芯片的功耗和面积,提高上电复位的精度

2024-01-27 14:50:05
金融界
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摘要:金融界2024年1月27日消息,据国家知识产权局公告,国民技术股份有限公司取得一项名为“上电复位电路及芯片“,授权公告号CN112104349B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,本申请提供了一种上电复位电路及使用该上电复位电路的芯片。其中,所述电路包括:电压生成单元和信号生成单元,所述信号生成单元与所述电压生成单元连接,所述电压生成单元用于根据电源电压生成参考电压;所述信号生成单元用于根据所述参考电压和电源电压生成复位信号;其中,所述电压生成单元包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管连接且均具有相应的斜率因子,以使在接收所述电源电压时产生的电流流过所述第一晶体管和第二晶体管生成与环境温度不相关的参考电压。可以降低使用该上电复位电路的芯片的功耗和面积,并提高上电复位的精度。

金融界2024年1月27日消息,据国家知识产权局公告,国民技术股份有限公司取得一项名为“上电复位电路及芯片“,授权公告号CN112104349B,申请日期为2019年6月。

专利摘要显示,本申请提供了一种上电复位电路及使用该上电复位电路的芯片。其中,所述电路包括:电压生成单元和信号生成单元,所述信号生成单元与所述电压生成单元连接,所述电压生成单元用于根据电源电压生成参考电压;所述信号生成单元用于根据所述参考电压和电源电压生成复位信号;其中,所述电压生成单元包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管连接且均具有相应的斜率因子,以使在接收所述电源电压时产生的电流流过所述第一晶体管和第二晶体管生成与环境温度不相关的参考电压。可以降低使用该上电复位电路的芯片的功耗和面积,并提高上电复位的精度。

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