台积电取得铁电随机存取存储器器件及其形成方法专利，实现高效形成铁电随机存取存储器器件lg...

摘要：金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“铁电随机存取存储器器件及其形成方法“，授权公告号CN113594175B，申请日期为2021年7月。专利摘要显示，形成铁电随机存取存储器(FeRAM)器件的方法包括：在衬底上方形成层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一介电材料和字线(WL)材料的交替层；形成垂直延伸穿过层堆叠件的第一沟槽；填充第一沟槽，其中，填充第一沟槽包括在第一沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料；在填充第一沟槽之后，形成垂直延伸穿过层堆叠件的第二沟槽，第二沟槽与第一沟槽交错；以及填充第二沟槽，其中，填充第二沟槽包括在第二沟槽中形成铁电材料、铁电材料上方的沟道材料和沟道材料上方的第二介电材料。本申请的实施例还涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。