台积电取得半导体器件及其形成方法专利，专利技术能实现半导体器件及其形成方法lg...

摘要：金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“，授权公告号CN113745220B，申请日期为2021年6月。专利摘要显示，示例性器件包括：隔离区域，位于衬底上；第一鳍，在隔离区域的顶面之上延伸；栅极结构，位于第一鳍上；以及外延源极/漏极区域，与栅极结构相邻，外延源极/漏极区域具有第一主体部分和第一突出部分，第一主体部分设置在第一鳍中，第一突出部分设置在第一鳍的第一侧壁上和隔离区域的顶面之下。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。