台积电取得半导体器件及其制造方法专利，专利技术能实现具有双侧源极/漏极接触结构的半导体器件lg...

摘要：金融界2024年1月13日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法”，授权公告号CN113764414B，申请日期为2021年7月。专利摘要显示，公开了具有双侧源极/漏极(S/D)接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一S/D区域和第二S/D区域；纳米结构沟道区域，设置在第一S/D区域和第二S/D区域之间；栅极结构，围绕纳米结构沟道区域；第一接触结构和第二接触结构，设置在第一S/D区域和第二S/D区域的第一表面上；第三接触结构，设置在第一S/D区域的第二表面上；以及蚀刻停止层，设置在第二S/D区域的第二表面上。第三接触结构包括：金属硅化物层；氮化硅化物层，设置在金属硅化物层上；以及导电层，设置在氮化硅化物层上。