三星申请半导体器件专利，提高数据存储结构的连接效率lg...

摘要：金融界2024年1月12日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117393579A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，一种半导体器件，包括：有源区，由器件隔离层限定；焊盘层，在器件隔离层和有源区的第一区域上；第一分离层，穿透焊盘层，并沿第一方向延伸；第二分离层，穿透焊盘层，并沿第二方向延伸；字线，在第二分离层下方，该字线沿第二方向延伸，并嵌入衬底中；位线，沿第一方向延伸，并连接到有源区的第二区域；接触结构，在位线的侧表面上，并连接到焊盘层；以及数据存储结构，在接触结构上，并连接到接触结构。第一分离层包括气隙或介电常数小于氮化硅的介电常数的材料。