台积电申请半导体器件沉积方法专利，实现在凹部侧壁表面上沉积导电材料lg...

摘要：金融界2024年1月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件的沉积方法“，公开号CN117393435A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，本公开涉及半导体器件的沉积方法。一种方法，包括：将第一材料沉积在衬底中的凹部的侧壁表面上，其中，第一材料是导电材料；在沉积第一材料之后，使用等离子体辅助沉积工艺在凹部的底表面上沉积第二材料；以及在沉积第二材料之后，去除第一材料。