三星取得半导体器件及制造其的方法专利，该半导体器件包括：成对的配线图案，其被构造为在第一方向上延伸并形成在衬底上以在第二方向上彼此间隔开lg...

摘要：金融界2024年1月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括隔离层的半导体器件及制造其的方法“，授权公告号CN110071174B，申请日期为2018年10月。专利摘要显示，本发明构思涉及一种半导体器件及制造其的方法，该半导体器件包括：成对的配线图案，其被构造为在第一方向上延伸并形成在衬底上以在第二方向上彼此间隔开，该成对的配线图案在第二方向上最靠近彼此地设置；栅电极，其被构造为在衬底上沿第二方向延伸，栅电极被构造为围绕配线图案；以及第一隔离层，其被构造为沿第一方向在衬底与栅电极之间延伸，并且被形成为在第二方向上彼此间隔开，第一隔离层在垂直于第一方向和第二个方向的第三方向上重叠该成对的配线图案。