台积电取得混合导电结构及其形成方法专利，实现在钴导电结构上方制造钌导电结构lg...

摘要：金融界2024年1月8日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“混合导电结构及其形成方法“，授权公告号CN113517258B，申请日期为2021年2月。专利摘要显示，本发明描述了一种用于在钴导电结构上方制造钌导电结构的方法。在一些实施例中，该方法包括形成位于介电层中的第一开口，以暴露第一钴接触件；用钌金属填充第一开口，以形成位于第一钴接触件上的钌接触件。该方法还包括：形成位于介电层中的第二开口，以暴露第二钴接触件和栅极结构；用钨填充第二开口，以形成位于第二钴接触件和栅极结构上的钨接触件。另外，该方法包括：形成位于钌接触件和钨接触件上的铜导电结构，其中，来自铜导电结构的铜与来自钌接触件的钌金属接触。本申请的实施例提供了混合导电结构及其形成方法。