三星取得三维半导体存储器件专利，能够支撑结构的外围电路区lg...

摘要：金融界2024年1月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件“，授权公告号CN110190061B，申请日期为2018年12月。专利摘要显示，本公开提供了三维半导体存储器件。一种半导体存储器件包括单元阵列区，该单元阵列区包括堆叠结构和在堆叠结构之间延伸的字线切割区。此外，半导体存储器件包括与单元阵列区成堆叠并包括支撑结构的外围电路区。