金融界2024年1月6日消息,据国家知识产权局公告,清华大学申请一项名为“一种超结构聚氨酯脲薄膜及其制备方法“,公开号CN117343263A,申请日期为2023年10月。
专利摘要显示,本发明提供一种超结构聚氨酯脲薄膜及其制备方法,该制备方法将溶液聚合‑涂布法制备聚氨酯脲薄膜与光刻技术结合,选用光敏扩链剂作为制备聚氨酯脲薄膜的原料,聚合物分子链中光敏扩链剂的存在,即可使材料本身含有大分子自交联引发剂,在紫外光的作用下产生二次交联,得到的超结构聚氨酯脲薄膜在交联区和非交联区的连续界面是以化学键连接,从而提高了聚氨酯脲薄膜材料模量,实现材料的选择性强化和聚氨酯脲薄膜整体结构‑性能可调。所得超结构聚氨酯脲薄膜具有微米级的光刻结构,例如,基于所选光刻掩膜板的构型,该超结构聚氨酯脲薄膜可具有分辨率为数十微米的雪花型、十字型、蛛网型以及蜂窝型,以实现可调的力学、声学等性能。