台积电申请EUV光刻掩模薄膜制造方法专利，提高纳米管层的处理效果lg...

摘要：金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法“，公开号CN117348335A，申请日期为2023年5月。专利摘要显示，本申请公开了用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。该方法包括：形成包括多个碳纳米管的纳米管层，所述纳米管层附接到薄膜框架；以及通过将溶剂中的气泡施加到所述纳米管层来对所述纳米管层执行溶剂浸渍处理。