三星申请集成电路专利，专利技术能够防止下泄漏电流lg...

摘要：金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路器件及其制造方法“，公开号CN117355132A，申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种制造集成电路器件的方法，可以包括在衬底之上形成多个下电极；形成被配置为支撑多个下电极的支撑体；在多个下电极和支撑体上形成介电膜；以及在介电膜上形成上电极。介电膜可以包括在多个下电极的每个的外表面和支撑体的外表面上的下泄漏电流防止层，在下泄漏电流防止层上的第一电容器材料层，在第一电容器材料层上的上材料层以及在上材料层上的第二电容器材料层。