京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置专利，可解决现有的金属氧化物薄膜晶体管稳定性较差的问题lg...

摘要：金融界2024年1月5日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置“，公开号CN117355947A，申请日期为2022年2月。专利摘要显示，一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，可解决现有的金属氧化物薄膜晶体管稳定性较差的问题。金属氧化物薄膜晶体管包括：基底(101)、及位于基底(101)上的第一金属氧化物半导体层(102)、及位于第一金属氧化物半导体层(102)背离基底(101)一侧的第二金属氧化物半导体层(103)；第一金属氧化物半导体层(102)的载流子迁移率高于第二金属氧化物半导体层(103)的载流子迁移率；第一金属氧化物半导体层(102)的材料包括：掺杂有稀土元素的第一金属氧化物；其中，稀土元素的电负性与氧元素的电负性的差值大于或等于第一金属氧化物中的金属元素与氧元素的电负性的差值。